四川省首家专注于宽带隙半导体碳化硅功率器件设计研发的高新技术企业成都容思半导体有限公司成功完成Pre—A轮融资本轮融资由维度资本领投，陕西三元航科投资基金合伙企业，南京泰华股权投资管理中心跟投

容思半导体成立于2019年12月，拥有IATF 16949体系认证的完整供应链和经验丰富的国际化团队2022年6月底，融思半导体发布了其自主研发的碳化硅NovuSiC EJBS系列，具有超强恒流和12倍正向浪涌，以及175°C理想硅基MCR二极管，具有高结温和nA泄漏

其中NovuSiC EJBS的VF在20A时为1.37V，泄漏小于2μA，可承受288W的功率和26A的最大电流，为光伏，DC快充等领域带来了可靠性要求更高，成本更优的解决方案MCR产品具有高温特性稳定，抗浪涌电流能力强等优点，适用于150 V至600 V的中低压应用，有助于提高产品性能，降低储能电源，LED照明等工业领域的功耗

根据消息显示，8月30日，融思半导体将举行线上新品发布会，发布碳化硅NovuSiC MOSFET，两款产品和硅基FR MOSFET产品。