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据德国媒体computerbase报道，三星在三星代工论坛2022活动中介绍了其内存路线图。
如上图，在即将到来的2023年，三星将进入1bnm工艺阶段内存芯片容量将达到24Gb—32Gb原生速度6.4—7.2Gbps内存方面，新一代GDDR7内存将于明年问世，因此AMD和NVIDIA的新一代显卡中期有可能使用GDDR7内存
此外，三星还做了一些长期设想，比如2026年推出DDR6内存，2027年推出原生10Gbps速度。
三星还公布了闪存的路线图，预计2024年推出V9 NAND芯片。
本站曾报道，三星在此前的Tech Day 2022活动中指出，其第九代V—NAND正在开发中，计划于2024年量产到2030年，三星设想超过1000层NAND堆栈，以更好地支持未来的数据密集型技术三星还宣布，全球容量最高的1Tb TLC V—NAND将于今年年底向客户提供
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